Tres investigadores de la Universitat de València forman parte del equipo que ha diseñado y evaluado un dispositivo láser semiconductor, con el que se podría ahorrar entre 100 y 1.000 veces la energía que consumen los dispositivos láseres actuales. El trabajo, publicado en la revista ‘Optica’ de la ‘Optical Society of America’ (OSA), ha sido seleccionado como uno de los 30 trabajos más relevantes del año 2015 en el área de la óptica.

Según los investigadores, los láseres necesitan un bombeo externo –óptico (luz) o bien eléctrico (corriente)– para empezar a emitir luz láser. “Si este umbral es muy alto, el sistema necesita mucha potencia para funcionar. Sin embargo, si este umbral es bajo, se necesita poca potencia y podemos decir que el sistema es más eficiente”, señalan desde el equipo de investigación.

Precisamente, uno de los paradigmas de la investigación en este campo es conseguir láseres de umbral nulo, con los cuales prácticamente no se necesitaría consumo extra, ya que cualquier aportación de corriente o de luz, por mínima que fuera, sería suficiente para conseguir luz láser.

El dispositivo láser fabricado en el Instituto de Microelectrónica de Madrid (CSIC) y testado en la Unitat de Materials i Dispositius Optoelectrònics del Institut de Ciències dels Materials de la Universitat de València (ICMUV), se basa en la emisión óptica de nanoestructuras semiconductoras embebidas en una cavidad de cristal fotónico, que opera casi sin umbral y a temperatura ambiente. Es un dispositivo que, por sus características, es adecuado para usarlo en circuitos fotónicos, equiparables a los circuitos electrónicos pero que, en lugar de operar con corrientes y voltajes, funcionan con luz.

A diferencia de los láseres sin umbral fabricados hasta ahora, que requieren muy bajas temperaturas para funcionar (-269 ºC), este dispositivo trabaja a temperatura ambiente, “lo que abarata significativamente la tecnología y permite pensar en su inserción en el tejido productivo”, según los investigadores.

La tercera de sus ventajas proviene de la longitud de onda en la cual trabaja, 1.286 nanómetros (1 nanómetro = 1 nm), correspondiente a la segunda ventana espectral de las telecomunicaciones. Hay dos zonas espectrales específicas usadas principalmente en las tecnologías de comunicaciones que usan fibra óptica: la segunda ventana (1.300 nm), donde los pulsos de luz no presentan dispersión temporal, y la tercera ventana (1.550 nm), donde la luz sufre el mínimo nivel de pérdidas al propagarse por la fibra.

Por esta razón, afirman los expertos, este tipo de dispositivo sería fácilmente integrable en nuevos equipos de fibra óptica, lo que permitiría desarrollar tecnologías de telecomunicaciones, tecnologías de almacenaje de datos o biosensores de alta sensibilidad. Con esto se reducirían los consumos y se ofrecerían alternativas tecnológicas mucho más eficientes y sostenibles.

Este trabajo se desarrolló en el Instituto de Microelectrónica de Madrid (CSIC), en la Unitat de Dispositius Optoelectrònics (UMDO-Universitat de València) y en el Laboratory for Solid State Physics (ETH Zuric).

El artículo de I. Prieto ‘et al’ (Optica 2, pàg. 66, 2015) ha sido seleccionado por la Optical Society of America como uno de los 30 más relevantes del año 2015 del campo de la óptica.

Enlaces (artículo y mención a OSA) 
https://www.osapublishing.org/optica/abstract.cfm?uri=optica-2-1-66&origin=search
http://www.osa-opn.org/home/articles/volume_26/december_2015/extras/near-thresholdless_laser_at_room_temperature/
http://www.osa-opn.org/home/articles/volume_26/december_2015/features/optics_in_2015/