Samsung Electronics, en colaboración con la Universidad de California Santa Barbara (UCSB), ha puesto a prueba un prototipo de comunicación inalámbrica 6G en el rango de los Terahercios (THz) para explorar el potencial de aplicación de este espectro en el futuro desarrollo de las comunicaciones inalámbricas de ta generación.
En el reciente taller sobre comunicaciones de Terahercios impartido durante la conferencia internacional de comunicaciones de IEEE, investigadores de Samsung Research, Samsung Research América y la UCSB, mostraron el impacto potencial que THz podría tener en la tecnología 6G de próxima generación, demostrando un enlace inalámbrico de extremo a extremo de 140 GHz utilizando una solución de formación de haz totalmente digital.
“Samsung ha estado a la vanguardia de la innovación tecnológica y la estandarización de 5G y 6G. Creemos que las nuevas oportunidades en el espectro THz se convertirán en una fuerza impulsora de la tecnología 6G. Esta demostración puede ser un hito importante en la exploración de la viabilidad de utilizar el espectro THz para las comunicaciones inalámbricas 6G”, declaró el vicepresidente senior Sunghyun Choi, miembro de IEEE y jefe del Centro de Investigación de Comunicación Avanzada de Samsung Research.
La banda THz incluye una enorme cantidad de espectro disponible, lo que permitirá canales de con un ancho de banda de decenas de GHZ. Esto podría proporcionar un medio para cumplir con el requisito 6G de una velocidad de datos de terabits por segundo. La velocidad máxima de datos puede ser 50 veces más rápida que la 5G y la latencia por aire podría reducirse potencialmente a una décima parte. Estas mejoras permitirán servicios de hiperconectividad 6G y la experiencia multimedia definitiva, como realidad extendida (XR), holograma móvil de alta fidelidad, etc.
El prototipo de sistema de extremo a extremo que los investigadores demostraron consiste en un transistor y módulo receptor de matriz por fases de 16 canales, impulsados por RFIC (Circuitos Integrados de Radiofrecuencia) CMOS (Complementary metal-óxido-semiconductor) y una unidad de banda base para procesar señales con ancho de banda de 2GHz y formación de haz adaptativa rápida. En la prueba por aire, el prototipo logró un rendimiento en tiempo real de 6,2 Gbps a una distancia de 15 metros con capacidad de dirección de haz adaptativo a la frecuencia de Terahercios.
Los investigadores de Samsung y UCSB han estado trabajando estrechamente en el desarrollo del módulo de matriz por fases THz, que es clave para el éxito de la prueba. El módulo requiere una sofisticada tecnología de encapsulado para permitir que los chips de prueba de investigación se utilicen en un módulo de matriz a gran escala. El preciso algoritmo de calibración de formación de haces digital, desarrollado por Samsung, permite a estos módulos alcanzar una elevada ganancia de formación de haces.
“Trabajando conjuntamente con la UCSB, hemos podido superar muchos retos tecnológicos y desarrollar este nuevo sistema de prueba de concepto de THz para explorar los casos de uso y los escenarios de despliegue de la 6G”, explica el vicepresidente senior Charlie Zhang, miembro del IEEE y jefe del equipo de estándares e innovaciones de movilidad de Samsung Research America. “Los investigadores de Samsung y la UCSB seguirán ampliando los límites tecnológicos para acercar la comunicación 6G y THz a la realidad”.
Samsung presentó en julio de 2020 el libro blanco “La próxima experiencia hiperconectada para todos” donde se describe la visión de la compañía sobre la próxima generación de conexiones 6G. Para acelerar la investigación para la 6G, Samsung Research, el centro avanzado de I + D dentro del negocio de productos finales de Samsung Electronics, fundó su Centro de Investigación de Comunicaciones Avanzadas en mayo de 2019.
Fuente de imágenes: Samsung
